Как известно, электрооборудование требует заземления в целях безопасности. Внешний корпус или открытые металлические части различных устройств должны быть напрямую подключены к земле, чтобы в случае короткого замыкания или утечки напряжение на корпусе или открытых металлических частях оставалось в безопасном диапазоне для контакта с человеком ( Действующий стандарт безопасности определяет напряжение, не превышающее 24 В), что обеспечивает личную безопасность. Электронные Ммикроскопы не являются исключением и также требуют заземления в целях безопасности. В случае утечки в системе предусмотрен сливной канал для обеспечения безопасности операторов или обслуживающего персонала. Однако к Eэлектронным Mмикроскопам предъявляются особые требования. Заземляющий провод электронного микроскопа служит общей опорной точкой «нулевого потенциала» для различных подсистем электронного микроскопа (таких как детекторы, усилители обработки сигналов, системы управления электронным лучом и т. д.), а напряжение должен быть стабильным при нулевом потенциале. Теоретически заземляющий провод является опорной точкой с нулевым напряжением. Однако на практике при наличии тока в цепи заземления (этот ток обычно называют током утечки или током заземления, который представляет собой векторную сумму токов утечки, генерируемых различным электрооборудованием), любая заземляющая клемма в заземлителе цепь будет иметь напряжение заземления (поскольку сопротивление заземления любого заземляющего провода хоть и небольшое, но не может быть нулевым, согласно закону Ома V=IR, напряжение заземления V не будет равно нулю, когда ток утечки I не равен нулю). Хотя это напряжение заземления обычно незначительно, для Eэлектронных Mмикроскопов , которым часто необходимо увеличивать изображения в десятки тысяч или миллионы раз, результирующее воздействие часто бывает значительным, и его нельзя игнорировать. Колебания напряжения заземления непосредственно вызывают артефакты, подобные магнитным полям и вибрационным помехам, на вертикальных краях сканированного изображения, а в тяжелых случаях могут вызвать дрожание изображения. Решение этой проблемы простое: установить специальную цепь заземления специально для электронного микроскопа, которая называется «одинарным контуром заземления». Это устраняет помехи от токов утечки других электрических устройств в той же силовой цепи на Eэлектрон Mмикроскоп. Обратите внимание, что заземляющий корпус, заземляющий провод и заземляющая клемма должны быть независимыми и не подключены к какому-либо проводящему телу, чтобы обеспечить полную независимость заземляющего провода. Следует избегать следующих распространенных ошибок: 1) Не устанавливать полностью независимое заземляющее тело, а просто прокладывать заземляющий провод, соединенный с общим заземляющим телом. 2) Хотя имеется отдельный заземляющий корпус, заземляющий провод или заземляющая клемма подключаются к общему заземляющему проводу или другим электрическим устройствам. 3) Старайтесь избегать использов...
Посмотреть большеДля начала давайте обсудим причины низкочастотных вибраций. Неоднократные испытания показали, что низкочастотные вибрации в первую очередь вызваны резонансами здания. Строительные характеристики промышленных и гражданских зданий в целом схожи с точки зрения высоты этажа, глубины, пролета, сечения балок и колонн, стен, балок перекрытия, плит перекрытий и т. д. Хотя могут быть некоторые различия, особенно в отношении низкочастотных резонансов, можно выделить общие характеристики. Вот некоторые закономерности, наблюдаемые при вибрации зданий: 1. Здания с линейными или точечными планами этажей, как правило, демонстрируют более сильные низкочастотные резонансы, в то время как здания с другими формами, такими как T, H, L, S или U, имеют меньшие резонансы. 2. В зданиях с линейными планами вибрации вдоль длинной оси часто более выражены, чем вибрации вдоль короткой оси. 3. В одном и том же здании наименьшие вибрации обычно испытывает первый этаж без подвала. С увеличением высоты пола вибрации усиливаются. Вибрации на первом этаже здания с подвалом аналогичны вибрациям на втором этаже, а самые низкие вибрации обычно наблюдаются на самом нижнем уровне подвала. 4. Вертикальные вибрации обычно сильнее горизонтальных и не зависят от уровня пола. 5. Более толстые плиты перекрытия приводят к меньшей разнице между вертикальными и горизонтальными вибрациями. В большинстве случаев вертикальные вибрации сильнее горизонтальных. 6. Если нет значительного источника вибрации, вибрации на одном этаже здания, как правило, постоянны. Это относится к местам в центре комнаты, а также к стенам, колоннам или потолочным балкам. Однако даже если измерения проводятся в одном и том же месте без какого-либо движения и с интервалом в несколько минут, значения, скорее всего, будут отличаться. Теперь, когда мы знаем источники и характеристики низкочастотных вибраций, мы можем принять целенаправленные меры по улучшению и провести расширенную оценку условий вибрации в определенных средах. Улучшение низкочастотных вибраций может быть дорогостоящим, а иногда и неосуществимым из-за экологических ограничений. Таким образом, в практических целях часто бывает выгодно выбрать или переместить лучшее место для работы лаборатории электронного микроскопа. Далее давайте обсудим влияние низкочастотных вибраций и возможные решения. Вибрации ниже 20 Гц оказывают существенное разрушительное воздействие на электронные микроскопы, как показано на следующих рисунках. Изображение 1 Изображение 2 Изображение 1 и изображение 2 были получены с помощью одного и того же Sканирующего Eэлектронного Mмикроскопа (оба при 300ккс увеличение). Однако из-за присутствия вибрационных помех Изображение 1 имеет заметные неровности в горизонтальном направлении (по сегментам), а четкость и разрешение изображения значительно снижаются. Изображение 2— результат, полученный на том же образце после устранения вибрационных помех. Если результаты испытаний показывают, что место установки микроскопа испытывает чрезмерную вибрацию,...
Посмотреть большеСреда лаборатории электронной микроскопии не влияет напрямую на сам электронный микроскоп, а скорее влияет на качество изображения и общую производительность микроскопа. Во время работы электронного микроскопа тонкий электронный луч должен пройти в условиях высокого вакуума расстояние 0,7 метра (для Sканирования Eэлектрона Mмикроскопe) до более 2 метров (для Tпропускания Eэлектрона Mмикроскопаe). На пути внешние факторы, такие как магнитные поля, вибрации земли, шум в воздухе и воздушные потоки, могут привести к отклонению электронного луча от намеченного пути, что приведет к ухудшению качества изображения. Поэтому к окружающей среде необходимо соблюдать особые требования. Пассивное низкочастотное электромагнитное экранирование в основном включает два метода, которые различаются используемым экранирующим материалом: в одном методе используются материалы с высокой проницаемостью (такие как сталь, кремниевая сталь и мю-металлические сплавы), и в другом методе используются материалы с высокой проводимостью(например, медь и алюминий). Хотя принципы работы этих двух методов различны, оба они обеспечивают эффективное снижение магнитных полей окружающей среды. А. Метод материалов с высокой проницаемостью, также известный как метод отклонения магнитной цепи, работает путем заключения конечного пространства (область А) с материалами с высокой проницаемостью. Когда напряженность магнитного поля окружающей среды равна Ho, магнитное сопротивление материала с высокой проницаемостью намного меньше, чем у воздуха (обычная сталь Q195 имеет проницаемость 4000, кремниевая сталь колеблется от 8000 до 12000, мю-металлические сплавы имеют проницаемость 24000, тогда как воздух имеет приблизительное значение 1). Применяя закон Ома, когда Rs намного меньше Ro, напряженность магнитного поля внутри замкнутого пространства (область A) уменьшается до Hi, достигая размагничивания (см. Рисунок 1 и Рисунок 2, где Ri представляет сопротивление воздуха в пространстве A, а Rs представляет сопротивление экранирующего материала). Внутри экранирующего материала магнитные домены подвергаются вибрации и рассеивают магнитную энергию в виде тепла под действием магнитного поля. Поскольку кремниевая сталь и мю-металлические сплавы обладают анизотропией проницаемости и их нельзя ковать, сгибать или сваривать во время изготовления (хотя теоретически термообработка может улучшить эти свойства, она непрактична для крупных фиксированных изделий), их эффективная производительность значительно снижено. Тем не менее, их по-прежнему можно использовать в качестве дополнительных или усиливающих целей в определенных специальных областях без ударов молотком, сгибания или сварки. Материалы с высокой проницаемостью дороги, поэтому они, как правило, широко не используются в защите электронных микроскопов и встречаются только в нескольких конкретных областях (таких как дверные проемы, отверстия волноводов и т. д.). Эффективность метода отклонения магнитной цепи примерно линейно зависит от толщины экраниру...
Посмотреть большеСреда лаборатории электронной микроскопии не влияет напрямую на сам электронный микроскоп, а скорее влияет на качество изображения и общую производительность. Во время работы электронного микроскопа тонкий электронный луч должен пройти в условиях высокого вакуума расстояние 0,7 метра (для Sканирования Eэлектрона Mмикроскопe) до более 2 метров (для Tпропускания Eэлектрона Mмикроскопаe). На пути внешние факторы, такие как магнитные поля, вибрации земли, шум в воздухе и воздушные потоки, могут привести к отклонению электронного луча от намеченного пути, что приведет к ухудшению качества изображения. Поэтому к окружающей среде необходимо соблюдать особые требования. Aактивная Lнизкочастотная Dсистема намагничивания S, в основном состоящая из детектора, контроллера, и катушка размагничивания представляет собой специализированное устройство, используемое для ослабления низкочастотных электромагнитных полей от 0,001 Гц до 300 Гц, называемое Dнамагничивателем. Размагничиватели Их можно разделить на типы переменного и постоянного тока в зависимости от их рабочего диапазона, а некоторые модели сочетают в себе оба типа для работы в различных рабочих условиях. К преимуществам низкочастотных размагничивателей относятся их небольшой размер, легкий вес, компактная конструкция и возможность установки после строительства. Они особенно подходят для сред, где сложно создать магнитное экранирование, например, в чистых помещениях. Независимо от марки, основные принципы работы размагничивателей одинаковы. Они используют трехосный детектор для обнаружения сигналов электромагнитных помех, динамического управления и вывода противофазных токов через ПИД-регулятор, а также генерируют противофазные магнитные поля с помощью трехмерных катушек размагничивания (обычно три набора из шести прямоугольных катушек квазиГельмгольца). ), эффективно нейтрализуя и подавляя магнитное поле в определенной области, снижая его интенсивность до более низкого уровня. Теоретическая точность размагничивания размагничивающих устройств может достигать 0,1 м Гаусс размах, или 10 нТл, а некоторые модели заявляют о еще большей точности, но это достижимо только в центре детектора и не может быть непосредственно измерено другими приборами из-за взаимных помех при близком расстоянии. расстояниях или феномен «Эвипотенциальной поверхности» на больших расстояниях. Размагничиватели автоматически регулируют ток размагничивания в зависимости от изменений окружающей среды. Иногда ток может быть значительным. Важно обращать внимание на схему проводки, когда другие чувствительные приборы находятся в непосредственной близости, чтобы избежать помех их нормальной работе. Например, на устройства воздействия электронным лучом воздействовали близлежащие работающие детекторы магнитного поля. Потребляемая мощность контроллера размагничивания обычно составляет от 250 до 300 Вт. Детектор размагничивателя может быть комбинированного типа или отдельного типа переменного/постоянного тока, при этом существенной разницы в хар...
Посмотреть большеСреда лаборатории электронной микроскопии не влияет напрямую на сам электронный микроскоп, а скорее влияет на качество изображения и общую производительность микроскопа. Во время работы электронного микроскопа тонкий электронный луч должен пройти в условиях высокого вакуума на расстояние от 0,7 метра (для Сканирующего электронного микроскопаe) до более 2 метров (для Просвечивающий электронный микроскопe). На пути внешние факторы, такие как магнитные поля, вибрации земли, шум в воздухе и воздушные потоки, могут привести к отклонению электронного луча от намеченного пути, что приведет к ухудшению качества изображения. Поэтому к окружающей среде необходимо соблюдать особые требования. Как известно, электромагнитные волны состоят из переменных магнитного и электрического полей. Однако важно учитывать частоту при измерении электромагнитных волн с использованием магнитных или электрических полей. На практике необходимо учитывать частоту. На очень низких частотах (поскольку частота стремится к нулю, что эквивалентно постоянному магнитному полю) магнитная составляющая электромагнитной волны становится сильнее, а электрическая составляющая ослабевает. По мере увеличения частоты электрическая составляющая усиливается, а магнитная составляющая уменьшается. Это постепенный переход без четкого поворотного момента. Как правило, составляющая магнитного поля может быть хорошо охарактеризована в диапазоне от нуля до нескольких килогерц, а для измерения напряженности поля используются такие единицы, как Гаусс или Тесла. Выше 100 кГц лучше измеряется составляющая электрического поля, а единицей измерения напряженности поля является вольт на метр (В/м). При работе в низкочастотной электромагнитной среде с сильной составляющей магнитного поля эффективным подходом является прямое уменьшение магнитного поля. Далее, мы сосредоточимся на практическом применении экранирования низкочастотного (0-300 Гц) электромагнитного поля с напряженностью магнитного поля от 0,5 до 50 миллигаусс (размах) в экранируемом объеме 40-120 кубических метров. . Учитывая экономическую эффективность, в качестве защитного материала обычно используется пластина из низкоуглеродистой стали Q195 (ранее известная как A3). Поскольку потери на вихревые токи в одном толстом материале больше, чем в нескольких тонких слоях (с одинаковой общей толщиной), более толстые однослойные материалы являются предпочтительными, если нет особых требований. Создадим математическую модель: 1. Вывод формулы Поскольку энергия низкочастотных электромагнитных волн в основном состоит из энергии магнитного поля, мы можем использовать материалы с высокой проницаемостью для создания обходных магнитных путей для уменьшения плотности магнитного потока внутри экранирующего объема. Применяя метод анализа параллельных шунтирующих цепей, мы можем вывести расчетную формулу для параллельного шунтирования путей магнитного потока. Вот несколько определений: Хо:Напряженность внешнего магнитного поля Привет: Напряженность магнитного поля вну...
Посмотреть большеПрактическая демонстрация CIQTEK FIB-SEM Сканирующий электронный микроскоп с фокусированным ионным лучом (FIB-SEM) необходим для различных применений, таких как диагностика дефектов, ремонт, ионная имплантация, обработка на месте, ремонт маски, травление, модификация конструкции интегральных схем, изготовление чипов. , безмасочная обработка, изготовление наноструктур, сложное наноструктурирование, трехмерное изображение и анализ материалов, сверхчувствительный анализ поверхности, модификация поверхности и подготовка образцов для просвечивающей электронной микроскопии. CIQTEK представил FIB-SEM DB550, который оснащен независимо управляемым полевым сканирующим электронным микроскопом (FE-SEM) со сфокусированным ионным пучком ( ФИБ) Столбцы. Это элегантный и универсальный инструмент для наномасштабного анализа и подготовки образцов, в котором используется технология электронной оптики «SuperTunnel», низкая аберрация и немагнитная конструкция объектива с низким напряжением и возможностью высокого разрешения для обеспечения наномасштабного анализа. Ионная колонна позволяет использовать источник ионов жидкого металла Ga+ с высокостабильным и высококачественным ионным пучком, обеспечивающим возможности нанопроизводства. DB550 оснащен встроенным наноманипулятором, системой впрыска газа, электрическим механизмом защиты от загрязнений объектива и удобным программным обеспечением с графическим пользовательским интерфейсом, что позволяет создать универсальную рабочую станцию для наномасштабного анализа и производства. Чтобы продемонстрировать выдающиеся характеристики DB550, CIQTEK запланировала специальное мероприятие пÐ
Посмотреть большеПрактическая демонстрация CIQTEK FIB-SEM Сканирующий электронный микроскоп с фокусированным ионным лучом (FIB-SEM) необходимы для различных применений, таких как диагностика дефектов, ремонт, ионная имплантация, обработка на месте, ремонт маски, травление, модификация конструкции интегральных схем, изготовление чипов, безмасочная обработка, изготовление наноструктур, сложное наноструктурирование, трехмерное изображение и анализ материалов, сверхчувствительный анализ поверхности, модификация поверхности и подготовка образцов для просвечивающей электронной микроскопии. CIQTEK представила FIB-SEM DB550, который оснащен независимо управляемым полевым сканирующим электронным микроскопом (FE-SEM) с фокусированным Колонки с ионным пучком (FIB). Это элегантный и универсальный инструмент для наномасштабного анализа и подготовки образцов, который использует технологию электронной оптики «SuperTunnel», низкую аберрацию и отсутствие конструкция магнитного объектива с низким напряжением и высоким разрешением для обеспечения наномасштабного анализа. Ионная колонна позволяет использовать источник ионов жидкого металла Ga+ с высокостабильным и высококачественным ионным пучком, обеспечивающим возможности нанопроизводства. DB550 имеет встроенный наноманипулятор, систему впрыска газа, электрический механизм защиты от загрязнений линзы объектива и удобное графический интерфейс пользователя программное обеспечение, которое облегчает универсальная рабочая станция для наномасштабного анализа и изготовления. Чтобы продемонстрировать выдающиеся характеристики DB550, CIQTEK запланировала специальное мероприятие под названием «Практическая Ð
Посмотреть большеОт насыщенного арахисового до ароматного оливкового – пищевые растительные масла обогащают наш рацион и обеспечивают разнообразные питательные преимущества. С ростом уровня жизни и увеличением потребления масла обеспечение качества и безопасности пищевых масел стало критически важным. С использованием Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) для оценки качества масла Технология ЭПР предлагает уникальные преимущества : не требует предварительной обработки образца, неразрушающий, in-situ и высокочувствительный. Всё чаще используется для контроля качества пищевых масел. ЭПР может обнаружить неспаренные электроны в молекулах масла, которые являются ранними маркерами окисления. Окисление масла по сути является цепная реакция свободных радикалов , образуя такие радикалы, как ROO·, RO· и R·. Идентифицируя эти радикалы, ЭПР позволяет научная оценка уровня окисления и стабильности до появления видимых или сенсорных изменений. Это раннее обнаружение имеет решающее значение для предотвращения деградации, вызванной свет, тепло, воздействие кислорода или металлических катализаторов . Ненасыщенные жирные кислоты особенно склонны к окислению даже при комнатной температуре, что влияет на вкус, питательную ценность и срок хранения. Преимущества использования ЭПР для обеспечения стабильности масла: Гарантирует потребителям более безопасное и свежее пищевое масло. Гиды эффективное использование антиоксидантов . Обеспечивает контроль качества маслосодержащих продуктов. Увеличивает срок годности продукта. Таким образом, технология ЭПР обеспечивает прямой, чувствительный и неразрушающий подход к контролю качества пищевого масла, обеспечивающий защиту здоровья населения. Практическое применение ЭПР для мониторинга нефти Принцип В процессе окисления липидов образуются различные свободные радикалы . Эти радикалы очень реактивны и недолговечны, поэтому спиновая ловушка часто используется. Спиновые ловушки (например, PBN) реагируют с нестабильными радикалами, образуя стабильные радикальные аддукты которые ЭПР может надежно обнаружить. Приложение 1: Оценка окислительной стабильности На каждом этапе производства можно измерять концентрацию свободных радикалов и отслеживать постепенные изменения в процессе окисления. Это позволяет точно определить антиоксидантную активность продукта. Например, при использовании PBN для улавливания радикалов, образующихся при окислении арахисового масла, образуются стабильные радикальные аддукты. Спектры ЭПР этих аддуктов дают прямую информацию об окислении масла. Чем сильнее сигнал ЭПР, тем выше содержание свободных радикалов и тем сильнее окислено масло. Спектры ЭПР также отражают влияние внешних факторов, таких как температура. С повышением температуры интенсивность сигнала ЭПР радикалов увеличивается, что указывает на ускорение окисления масла при более высоких температурах. Приложение 2: Оценка эффективности антиоксидантов В данном исследовании сравнивается влияние различных антиоксидантов на интенсивность сигнала ЭПР арахисового масла. К...
Посмотреть больше
No. 1969, Kongquetai Road, High-tech Zone, Hefei, Anhui, China
+8615156059133
+8613083191369
info@ciqtek.com
Карта сайта | XML | Блог | политика конфиденциальности | Поддерживается сеть IPv6
