Анализ отказов редко начинается с идеального образца.
На ISTFA 2026, 52-м Международном симпозиуме по тестированию и анализу отказов, многие наши беседы начинались с реальных проблем: скрытых дефектов, сложных поперечных сечений, тонкого контраста материалов и структур, требующих большего, чем просто поверхностная визуализация.
С 4 по 8 октября в Сан-Антонио, штат Техас, CIQTEK Команда по электронной микроскопии в США встретилась с инженерами по анализу отказов, исследователями полупроводников и специалистами по микроскопии на стенде №317, чтобы обсудить практические SEM и FIB-SEMрабочие процессы.
От поверхностной визуализации до анализа скрытых дефектов
Дискуссии на ISTFA охватывали широкий спектр приложений, включая:
- Инспекцию полупроводниковых устройств и пластин
- Визуализацию высокого разрешения при низком напряжении (low-kV)
- Анализ поверхностных дефектов и морфологии
- Анализ контраста материалов и загрязнений
- Локальное создание поперечных сечений
- Характеризацию скрытых дефектов и границ раздела
SEM помогает выявить морфологию поверхности, границы раздела, частицы и контраст материалов, в то время как FIB-SEM расширяет возможности анализа под поверхностью за счет прецизионного фрезерования и подготовки целевых поперечных сечений.
Компания CIQTEK также представила свои решения в области электронной микроскопии, включая серию SEM5000 и FIB-SEM DB550, для анализа отказов полупроводников и передовой характеризации материалов.
Ценные беседы на стенде №317
Помимо технических характеристик приборов, многие дискуссии были сосредоточены на реальных лабораторных потребностях, таких как тип образца, условия визуализации, конфигурация детектора, эффективность рабочего процесса и качество поперечных сечений.
Эти беседы дали нашей команде ценное представление о проблемах, с которыми сталкиваются лаборатории полупроводников и анализа отказов в США.
Спасибо всем, кто посетил наш стенд и поделился с нами своими приложениями и идеями.
Мы с нетерпением ждем продолжения диалога и поддержки новых лабораторий с помощью практических решений в области электронной микроскопии для анализа отказов и характеризации дефектов.
