CIQTEK примет участие в ISTFA 2026 в США с решениями в области электронной микроскопии для анализа отказов

CIQTEK примет участие в ISTFA 2026, 52-м Международном симпозиуме по тестированию и анализу отказов, который пройдет с 4 по 8 октября в Сан-Антонио, штат Техас.

Посетите нас на стенде №317 чтобы ознакомиться с решениями CIQTEK на базе СЭМ и ФИБ-СЭМ для анализа отказов полупроводников, характеризации дефектов и передовой электронной микроскопии. Наша команда по электронной микроскопии в США, включая опытных менеджеров по решениям в области электронной микроскопии, будет на месте, чтобы обсудить ваши задачи и помочь подобрать подходящие микроскопические решения для вашей лаборатории.

Встречайтесь с сообществом специалистов по анализу отказов на ISTFA 2026

Организованная ASM International, конференция ISTFA является ведущим международным событием в области тестирования и анализа отказов микроэлектроники, объединяющим инженеров, исследователей, сотрудников лабораторий и поставщиков технологий из полупроводниковой промышленности.

Конференция посвящена реальным проблемам анализа отказов, характеризации устройств, микроскопии, локализации дефектов, надежности и смежным технологиям.

СЭМ для анализа отказов полупроводников

Поскольку полупроводниковые устройства становятся все меньше и сложнее, анализ отказов требует получения изображений с высоким разрешением и достоверной информации о все более мелких структурах.

CIQTEK предлагает ряд сканирующих электронных микроскопов с автоэмиссионным катодом, включая SEM5000X, SEM5000 и SEM4000Pro, для характеризации полупроводников и передовых материалов.

Наши решения на базе СЭМ могут поддерживать такие задачи, как:

• Инспекция полупроводниковых устройств и пластин
• Анализ поверхностных дефектов и морфологии
• Визуализация при низком ускоряющем напряжении с высоким разрешением
• Визуализация в обратно рассеянных электронах (BSE) для контрастирования материалов
• Анализ частиц и загрязнений
• Характеризация электронных компонентов и корпусов

Визуализация в СЭМ при низком ускоряющем напряжении особенно ценна при исследовании тонких поверхностных структур и чувствительных элементов. В сочетании с гибкими опциями детекторов и визуализацией в обратно рассеянных электронах (BSE) это помогает исследователям получать как структурную, так и материаловедческую информацию о сложных образцах.

Углубленный анализ с помощью ФИБ-СЭМ

Не каждый отказ можно понять, изучив только поверхность.

Для скрытых дефектов, границ раздела и внутренних структур ФИБ-СЭМ сочетает в себе обработку сфокусированным ионным пучком с высокоразрешающей СЭМ-визуализацией, позволяя выполнять подготовку поперечных срезов и анализ в рамках одной системы.

Системы DB550 FIB-SEM от CIQTEK поддерживают такие задачи, как локальное создание поперечных срезов, исследование внутренних дефектов, анализ многослойных структур, характеризация границ раздела и передовая подготовка образцов.

Это дает командам по анализу отказов мощный инструмент для перехода от локализации проблемы к исследованию того, что происходит под поверхностью.

Пообщайтесь с нашей командой по электронной микроскопии в США на стенде №317

Выбор подходящего электронного микроскопа зависит не только от технических характеристик. Тип образца, требования к визуализации, пропускная способность, рабочий процесс, объем камеры, детекторы и будущие задачи — все это имеет значение.

Вот почему наша команда по электронной микроскопии в США будет присутствовать на ISTFA 2026, а опытные менеджеры по решениям в области электронной микроскопии будут готовы ответить на технические вопросы и обсудить ваши конкретные задачи.

Независимо от того, работаете ли вы в области анализа отказов полупроводников, контроля пластин, низковольтной визуализации, контраста материалов, анализа поперечных сечений или рабочих процессов FIB-SEM, мы будем рады пообщаться.

Дата: 4–8 октября 2026 г.
Место проведения: Сан-Антонио, Техас, США
Стенд CIQTEK: №317

Заходите на стенд №317, чтобы познакомиться с командой CIQTEK по электронной микроскопии в США. Увидимся на ISTFA 2026!