Анализ отказов металлических материалов — приложения сканирующей электронной микроскопии (СЭМ)
Металлические материалы — это материалы с такими свойствами, как блеск, пластичность, легкая проводимость и теплопередача. Их обычно делят на два типа: черные и цветные металлы. К черным металлам относятся железо, хром, марганец и др. [1]. Среди них сталь является основным конструкционным материалом и называется «скелетом промышленности». До сих пор сталь по-прежнему доминирует в составе промышленного сырья. Многие сталелитейные компании и научно-исследовательские институты используют уникальные преимущества SEM для решения производственных задач и помощи в разработке новой продукции. СЭМ с соответствующими аксессуарами стал любимым инструментом сталелитейной и металлургической промышленности для проведения исследований и выявления проблем в производственном процессе. С увеличением разрешения и автоматизации СЭМ применение СЭМ для анализа и определения характеристик материалов становится все более распространенным [2].
Анализ отказов — это новая дисциплина, которая в последние годы стала популяризироваться военными предприятиями среди ученых-исследователей и предприятий [3]. Выход из строя металлических деталей может привести к ухудшению характеристик детали в незначительных случаях и даже к несчастным случаям, связанным с безопасностью жизни в серьезных случаях. Выявление причин сбоев посредством анализа сбоев и предложение эффективных мер по улучшению является важным шагом для обеспечения безопасной эксплуатации проекта. Поэтому полное использование преимуществ сканирующей электронной микроскопии внесет большой вклад в прогресс индустрии металлических материалов.
01 СЭМ-наблюдение разрушения металлов при растяжении
Перелом всегда происходит в самом слабом месте металлической ткани и фиксирует много ценной информации обо всем процессе перелома. Поэтому при изучении переломов особое внимание уделяется наблюдению и изучению переломов. Морфологический анализ разрушения используется для изучения некоторых основных проблем, которые приводят к разрушению материала, таких как причина разрушения, природа разрушения и способ разрушения . Если необходимо глубже изучить механизм разрушения материала, обычно анализируют состав макрообластей на поверхности разрушения. Анализ разрушения теперь стал важным инструментом анализа отказов металлических компонентов.
Рисунок 1. Морфология разрушения при растяжении CIQTEK SEM3100
По характеру разрушения перелом условно можно разделить на хрупкий и пластичный . Поверхность излома при хрупком изломе обычно перпендикулярна растягивающему напряжению, и с макроскопической точки зрения хрупкий излом представляет собой блестящую кристаллическую блестящую поверхность; в то время как пластичный перелом обычно имеет крошечную выпуклость на изломе и является фиброзным.
Экспериментальной основой анализа разрушения является прямое наблюдение и анализ макроскопической морфологии и микроструктурных характеристик поверхности разрушения. Во многих случаях характер разрушения, место зарождения и путь распространения трещины можно определить с помощью макроскопических наблюдений. Однако микроскопическое наблюдение необходимо для проведения детального исследования вблизи источника трещины и анализа причины и механизма разрушения. А поскольку поверхность перелома неровная и шероховатая, микроскоп, используемый для наблюдения за переломом, должен иметь максимальную глубину резкости, максимально широкий диапазон увеличения и высокое разрешение. Все эти потребности привели к широкому применению СЭМ в области анализа трещин. На рисунке 1 показаны три образца разрушения при растяжении, полученные при макроскопическом наблюдении при малом увеличении и при наблюдении микроструктуры при большом увеличении: излом образца А имеет вид речного цветка (рис. А), что является типичной особенностью хрупкого излома; образец B макроскопический, волокнистая морфология отсутствует (рис. B), микроструктура не проявляется жесткого гнезда, что представляет собой хрупкий излом; Макроскопический излом образца С состоит из блестящих граней. Следовательно, все вышеуказанные разрушения при растяжении являются хрупкими.
02 СЭМ-наблюдение включений в стали
Эксплуатационные характеристики стали зависят главным образом от химического состава и организации стали. Включения в стали существуют преимущественно в виде неметаллических соединений, таких как оксиды, сульфиды, нитриды и др., которые вызывают неравномерную организацию стали. При этом их геометрия, химический состав и физические факторы не только снижают холодную и горячую обрабатываемость стали, но и влияют на механические свойства материала [4]. Состав, количество, форма и распределение неметаллических включений оказывают большое влияние на прочность, пластичность, ударную вязкость, сопротивление усталости, коррозионную стойкость и другие свойства стали. Поэтому неметаллические включения являются незаменимыми показателями при металлографическом исследовании стальных материалов. Изучение поведения включений в стали и использование соответствующей технологии для предотвращения дальнейшего образования включений в стали и уменьшения включений, уже присутствующих в стали, имеет большое значение для производства стали высокой чистоты и улучшения характеристик стали. .
Рисунок 2. Морфология включения
Рис. 3. Анализ энергетического спектра поверхности композиционных включений TiN-Al2O3.
В случае анализа включений, показанного на рисунках 2 и 3, включения наблюдались с помощью сканирующей электронной микроскопии, а включения, содержащиеся в электрически чистом железе, анализировались с помощью энергетической спектроскопии, которая показала, что включения, содержащиеся в чистом железе, были оксидными. , нитридные и композиционные включения.
Программное обеспечение для анализа, поставляемое с SEM3100, имеет мощные функции для измерения непосредственно на образце или непосредственно на изображении на любом расстоянии и длине. Например, измерив длину включений электрочистого железа в показанном выше случае, видно, что средний размер включений Al2O3 составляет около 3 мкм, размеры TiN и AlN находятся в пределах 5 мкм, а размер композиционного класса включений не превышает 8 мкм. Эти крошечные включения играют роль привязки магнитных доменов в электрически чистом железе, что влияет на конечные магнитные свойства.
Источником оксидных включений Al2O3 могут быть продукты раскисления стали и вторичные оксиды процесса непрерывной разливки, морфология стального материала преимущественно сферическая, незначительная часть имеет неправильную форму. Морфология включений связана с их компонентами и рядом физико-химических реакций, протекающих в стали. При наблюдении включений следует не только наблюдать за морфологией и составом включений, но также обращать внимание на размер и распределение включений, что во многих аспектах требует статистики для комплексной оценки уровня включений. СЭМ имеет преимущества в наблюдении и анализе отдельных включений, например включений, вызывающих растрескивание заготовок, для анализа отказов. В очаге растрескивания часто обнаруживаются крупные частицы включений, поэтому важно изучить размер, состав, количество и форму включений. Анализ можно использовать для определения причины выхода из строя заготовки.
03 СЭМ для обнаружения вредных фаз выделений в стали
Выделившаяся фаза представляет собой фазу, выделившуюся при понижении температуры насыщенного твердого раствора, или фазу, выделившуюся при выдерживании пересыщенного твердого раствора, полученного после обработки твердым раствором. Относительный процесс старения представляет собой процесс фазового перехода в твердом состоянии, это частицы второй фазы из процесса десольватации осадков перенасыщенного твердого раствора и процесса роста зародышеобразования. Выделившаяся фаза играет очень важную роль в стали, большое влияние оказывают ее прочность, ударная вязкость, пластичность, усталостные свойства и многие другие важные физические и химические свойства. Разумный контроль фазы выделения стали может улучшить свойства стали. Если температура и время термообработки не соответствуют требованиям, это приведет к резкому ухудшению свойств металла, например, к хрупкому разрушению, легкой коррозии и т. д.
Рисунок 4. Диаграмма обратного рассеяния фаз осаждения электротехнически чистого железа CIQTEK SEM3100
При определенном ускоряющем напряжении, поскольку выход обратнорассеянных электронов в основном растет с увеличением атомного номера образца, обратнорассеянные электроны можно использовать в качестве визуализирующего сигнала для отображения изображения подкладки атомного номера и распределения химических компонентов на поверхности образца. поверхность образца можно наблюдать в определенном диапазоне. Атомный номер Pb равен 82, а выход обратно рассеянных электронов Pb в режиме обратного рассеяния высок, поэтому на изображении Pb выглядит ярко-белым.
Опасность Pb в материалах из железа и стали заключается в следующем: Pb и Fe не образуют твердый раствор, который трудно удалить в процессе плавки, и он легко поляризуется на границах зерен, образуя эвтектические кристаллы с низкой температурой плавления. ослабить зернограничное соединение, в результате чего снижается эффективность горячей обработки материала. Возможными источниками выделения Pb в электротехническом чистом железе являются Pb, содержащийся в сырье для производства чугуна, и следовые количества Pb, содержащиеся в легирующих элементах, добавляемых при выплавке. при использовании для специальных целей не исключена возможность добавления в процесс плавки, цель – улучшение режущих и механических свойств.
04 Выводы
Сканирующая электронная микроскопия в качестве инструмента микроскопического анализа может представлять собой различные формы наблюдения за металлическими материалами, может быть подробный анализ различных типов дефектов, отказ металлических материалов от причин комплексного анализа позиционирования. Благодаря постоянному совершенствованию и совершенствованию функций SEM, SEM может выполнять все больше и больше задач. Он не только обеспечивает надежную основу для исследований по улучшению свойств материалов, но также играет важную роль в управлении производственным процессом, разработке новой продукции и исследованиях.
Рисунок 5. CIQTEK SEM3200
Рекомендации
[1] Чжан Юньчуань. Общие проблемы и способы решения испытаний металлических материалов [J]. Цифровой Пользователь, 2018, 24(052):67.
[2] Го Либо, Ли Пэн, У Цян и др. Применение сканирующей электронной микроскопии и анализа энергетического спектра в металлургии стали [J]. Физические испытания, 2018, 36(1):30-36.
[3] Чэнь Наньпин, Гу Шоурен, Шэнь Ваньци и др. Анализ отказов механических частей [M]. Пекин: Издательство Университета Цинхуа, 2008, 15–17.
[4] Чэн Сяофан, Ху Юй. Исследование методов анализа включений в стали [J]. Металлические изделия, 2006, 032(004):52-54.
CIQTEK SEM5000 — это сканирующий электронный микроскоп с полевой эмиссией, обеспечивающий возможность получения изображений и анализа с высоким разрешением, поддерживаемый множеством функций, преимуществами усовершенствованной конструкции электронно-оптической колонны, технологией туннелирования электронного луча высокого давления (SuperTunnel), низкой аберрацией и отсутствием погружения. объектив, обеспечивает получение изображений с высоким разрешением при низком напряжении, магнитный образец также можно анализировать. Благодаря оптической навигации, автоматизированным функциям, тщательно разработанному пользовательскому интерфейсу взаимодействия человека с компьютером, а также оптимизированному процессу эксплуатации и использования, независимо от того, являетесь ли вы экспертом или нет, вы можете быстро приступить к работе и выполнить работу по визуализации и анализу с высоким разрешением.
Узнать большеCIQTEK SEM5000 — это сканирующий электронный микроскоп с полевой эмиссией, обеспечивающий возможность получения изображений и анализа с высоким разрешением, поддерживаемый множеством функций, преимуществами усовершенствованной конструкции электронно-оптической колонны, технологией туннелирования электронного луча высокого давления (SuperTunnel), низкой аберрацией и отсутствием погружения. объектив, обеспечивает получение изображений с высоким разрешением при низком напряжении, магнитный образец также можно анализировать. Благодаря оптической навигации, автоматизированным функциям, тщательно разработанному пользовательскому интерфейсу взаимодействия человека с компьютером, а также оптимизированному процессу эксплуатации и использования, независимо от того, являетесь ли вы экспертом или нет, вы можете быстро приступить к работе и выполнить работу по визуализации и анализу с высоким разрешением.
Узнать большеСтабильный, универсальный, гибкий и эффективный The CIQTEK SEM4000X является стабильным, универсальным, гибким и эффективным сканирующий электронный микроскоп с полевой эмиссией (FE-SEM) . Он достигает разрешения 1,9 нм при 1,0 кВ и легко справляется с задачами визуализации высокого разрешения для различных типов образцов. Его можно модернизировать с помощью режима замедления ультра-луча, чтобы еще больше улучшить разрешение при низком напряжении. Микроскоп использует технологию мультидетектора с электронным детектором в колонке (UD), способным обнаруживать сигналы SE и BSE, обеспечивая при этом высокое разрешение. Электронный детектор, установленный в камере (LD), включает в себя кристаллический сцинтиллятор и фотоумножительные трубки, предлагая более высокую чувствительность и эффективность, что приводит к стереоскопическим изображениям с превосходным качеством. Графический пользовательский интерфейс удобен для пользователя, с функциями автоматизации, такими как автоматическая яркость и контрастность, автофокус, автоматический стигматор и автоматическое выравнивание, что позволяет быстро захватывать изображения сверхвысокого разрешения.
Узнать большеСтабильный, универсальный, гибкий и эффективный The CIQTEK SEM4000X является стабильным, универсальным, гибким и эффективным сканирующий электронный микроскоп с полевой эмиссией (FE-SEM) . Он достигает разрешения 1,9 нм при 1,0 кВ и легко справляется с задачами визуализации высокого разрешения для различных типов образцов. Его можно модернизировать с помощью режима замедления ультра-луча, чтобы еще больше улучшить разрешение при низком напряжении. Микроскоп использует технологию мультидетектора с электронным детектором в колонке (UD), способным обнаруживать сигналы SE и BSE, обеспечивая при этом высокое разрешение. Электронный детектор, установленный в камере (LD), включает в себя кристаллический сцинтиллятор и фотоумножительные трубки, предлагая более высокую чувствительность и эффективность, что приводит к стереоскопическим изображениям с превосходным качеством. Графический пользовательский интерфейс удобен для пользователя, с функциями автоматизации, такими как автоматическая яркость и контрастность, автофокус, автоматический стигматор и автоматическое выравнивание, что позволяет быстро захватывать изображения сверхвысокого разрешения.
Узнать большеАналитический Шоттки Сканирующий электронный микроскоп с полевой эмиссией (FESEM) CIQTEK SEM4000Pro аналитическая модель FE-SEM, оснащенная высокояркой и долговечной полевой электронной пушкой Шоттки. Ее трехступенчатая конструкция электромагнитной линзы обеспечивает значительные преимущества в аналитических приложениях, таких как EDS / EDX, EBSD, WDS и т. д. Модель стандартно поставляется с режимом низкого вакуума и высокопроизводительным низковакуумным вторичным электронным детектором, а также выдвижным детектором обратно рассеянных электронов, что позволяет наблюдать за плохо проводящими или непроводящими образцами.
Узнать большеВысокое разрешение при низком возбуждении The CIQTEK SEM5000Pro это высокое разрешение Шоттки сканирующий электронный микроскоп с полевой эмиссией (FE-SEM) Специализируется на высоком разрешении даже при низком напряжении возбуждения. Использование передовой технологии электронной оптики «Super-Tunnel» обеспечивает свободный от пересечений путь луча и конструкцию электростатическо-электромагнитной составной линзы. Эти достижения снижают эффект пространственной зарядки, минимизируют аберрации линз, повышают разрешение изображений при низком напряжении и достигают разрешения 1,2 нм при 1 кВ, что позволяет напрямую наблюдать непроводящие или полупроводящие образцы, эффективно снижая повреждение образцов от облучения.
Узнать большеВысокоскоростной Полностью автоматизированная полевая эмиссия Сканирующий электронный микроскоп Рабочая станция CIQTEK HEM6000 В оборудовании используются такие технологии, как сверхъяркая электронная пушка с большим током пучка, высокоскоростная система отклонения электронного пучка, высоковольтное торможение предметного столика, динамическая оптическая ось и иммерсионный электромагнитный и электростатический комбинированный объектив, позволяющие достигать высокоскоростного получения изображений, обеспечивая при этом разрешение в наномасштабе. Автоматизированный рабочий процесс предназначен для таких приложений, как более эффективный и интеллектуальный рабочий процесс получения изображений большой площади с высоким разрешением. Скорость получения изображений более чем в пять раз выше, чем у обычного сканирующего электронного микроскопа с полевой эмиссией (FESEM).
Узнать большеВысокопроизводительный и универсальный СЭМ с вольфрамовой нитью Микроскоп The Микроскоп сканирующего электронного микроскопа CIQTEK SEM3200 - это превосходный универсальный сканирующий электронный микроскоп с вольфрамовой нитью (СЭМ) с выдающимися общими возможностями. Его уникальная структура электронной пушки с двойным анодом обеспечивает высокое разрешение и улучшает соотношение сигнал/шум изображения при низких напряжениях возбуждения. Кроме того, он предлагает широкий спектр дополнительных принадлежностей, что делает SEM3200 универсальным аналитическим прибором с превосходной расходуемостью.
Узнать большеСканирующий электронный микроскоп с автоэмиссией и фокусированным ионным пучком Ga+ The Сканирующий электронный микроскоп с фокусированным ионным пучком (FIB-SEM) CIQTEK DB550 Имеет сфокусированную ионную колонку для наноанализа и подготовки образцов. Он использует технологию электронной оптики «супертуннель», низкую аберрацию и немагнитную конструкцию объектива, а также имеет функцию «низкое напряжение, высокое разрешение», чтобы гарантировать его аналитические возможности в наномасштабе. Ионные колонны обеспечивают источник ионов жидкого металла Ga+ с высокостабильными и высококачественными ионными пучками для обеспечения возможностей нанопроизводства. DB550 — это многофункциональная рабочая станция для наноанализа и производства с интегрированным наноманипулятором, системой впрыска газа и удобным графическим интерфейсом.
Узнать большеСверхвысокое разрешение Сканирующий электронный микроскоп с вольфрамовой нитью The CIQTEK SEM3300 Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) Включает такие технологии, как "супертуннельная" электронная оптика, внутрилинзовые электронные детекторы и электростатические и электромагнитные составные объективные линзы. Применяя эти технологии к микроскопу с вольфрамовой нитью, можно превзойти давний предел разрешения такого СЭМ, что позволяет СЭМ с вольфрамовой нитью выполнять задачи анализа низкого напряжения, которые ранее были достижимы только с помощью полевых эмиссионных СЭМ.
Узнать большеПросвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) 120 кВ 1. Разделенные рабочие пространства: Пользователи работают с TEM в разделенной комнате с комфортом, снижая влияние окружающей среды на TEM. 2. Высокая эксплуатационная эффективность: Специальное программное обеспечение объединяет высокоавтоматизированные процессы, обеспечивая эффективное взаимодействие TEM с мониторингом в реальном времени. 3. Улучшенный опыт эксплуатации: Оборудован автоэмиссионной электронной пушкой с высокоавтоматизированной системой. 4. Высокая расширяемость: Для пользователей зарезервировано достаточное количество интерфейсов для перехода на более высокую конфигурацию, отвечающую разнообразным требованиям приложений.
Узнать большеСканирующая электронная микроскопия сверхвысокого разрешения с полевой эмиссией (FESEM) The CIQTEK SEM5000X представляет собой сверхвысокоразрешающий FESEM с оптимизированной конструкцией электронно-оптической колонны, снижающей общие аберрации на 30%, достигая сверхвысокого разрешения 0,6 нм при 15 кВ и 1,0 нм при 1 кВ. Его высокое разрешение и стабильность делают его выгодным в передовых исследованиях наноструктурных материалов, а также в разработке и производстве высокотехнологичных узловых полупроводниковых ИС-чипов.
Узнать больше